- дислокации несоответствия
- misfit dislocation
Русско-английский исловарь по машиностроению и автоматизации производства.
дислокации несоответствия
Look at other dictionaries:
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) … Большая советская энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… … Химическая энциклопедия
гетероструктура полупроводниковая — Термин гетероструктура полупроводниковая Термин на английском semiconductor heterostructure Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероэпитаксия, квантовая проволока, квантовая яма, полупроводник, светодиод Определение искусственная структура … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… … Википедия
эпитаксия — Epitaxy or Epi Эпитаксия Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы.… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
epitaxy — Epitaxy or Epi Эпитаксия Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы.… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
РОДЫ — РОДЫ. Содержание: I. Определение понятия. Изменения в организме во время Р. Причины наступления Р..................... 109 II. Клиническое течение физиологических Р. . 132 Ш. Механика Р. ................. 152 IV. Ведение Р.................. 169 V … Большая медицинская энциклопедия
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Твердение металлов — [hardening] повышение прочности сталей и сплавов, связанное с выделением дисперсных частиц вторичных фаз (карбидов, нитридов, их комплексных соединений карбонитридов, интерметаллидов) и изменение структуры матрицы при распаде пересыщенного… … Энциклопедический словарь по металлургии
